本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

SRAM廣泛用于高性能處理器芯片的緩存。如果芯片無需訪問外部存儲器，其速度甚至可以更快。

SRAM 已經(jīng)非常成熟，現(xiàn)在被認(rèn)為是一種商業(yè)“管道”類型的內(nèi)存，但 Marvell Technology 的最新定制 SRAM 正在展示這種現(xiàn)有內(nèi)存如何在 AI 數(shù)據(jù)中心發(fā)揮作用。

顯著降低功耗和芯片面積

Marvell 聲稱其定制 SRAM 是業(yè)界首款 2nm 定制 SRAM。它旨在提升加速基礎(chǔ)設(shè)施中內(nèi)存層的性能，提供高達(dá) 6Gbit 的高速內(nèi)存，從而提升定制 XPU（處理器、加速器、GPU）和設(shè)備的性能。此外，在相同密度下，它還能顯著降低內(nèi)存功耗和芯片面積。

該公司的 SRAM 比類似密度的標(biāo)準(zhǔn)片上 SRAM 功耗低 66%，運(yùn)行頻率高達(dá) 3.75GHz，這是 AI 集群和數(shù)據(jù)中心管理其能源足跡和有效冷卻組件的關(guān)鍵指標(biāo)。

Marvell 首席內(nèi)存架構(gòu)師 Darren Anand表示：“Marvell 一直專注于優(yōu)化 SRAM，以適應(yīng) AI/機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用。這與我們目前的封裝和定制高帶寬內(nèi)存 (HBM) 工作具有顯著的協(xié)同效應(yīng)，從而為 XPU 上的計(jì)算釋放了更多的芯片面積。”

“SRAM 有創(chuàng)新的機(jī)會”

Anand 表示：“Marvell 的 SRAM 不是不斷訪問 HBM，而是將部分工作負(fù)載保留在芯片上，并支持 AI 工作負(fù)載所需的高帶寬和寬 IO，從而有可能提高整體設(shè)備性能?！?/p>

在最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上，SRAM 可以與邏輯芯片集成在同一塊芯片上。來源：Marvell Technology

他表示：“SRAM 是唯一在個(gè)位數(shù)工藝節(jié)點(diǎn)上可用的存儲器，因此也是唯一能夠支持近內(nèi)存計(jì)算架構(gòu)的高性能存儲器。在這些前沿節(jié)點(diǎn)上，DRAM 無法在同一塊硅片上使用。同樣，NAND 閃存、磁阻 RAM (MRAM)、電阻式 RAM (ReRAM) 和相變 RAM (PCM) 等新興存儲器也無法在這些前沿節(jié)點(diǎn)上使用?！?/p>

Anand 解釋說：“在尖端節(jié)點(diǎn)上，SRAM 可以與邏輯芯片集成在同一芯片上，從而支持可立即供 XPU 上的處理器和邏輯引擎使用的內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)?！?在這方面，它不同于連接內(nèi)存和邏輯芯片的典型馮·諾依曼架構(gòu)。近內(nèi)存計(jì)算架構(gòu)將數(shù)據(jù)放置在更靠近需要的位置，從而降低了移動數(shù)據(jù)所需的功耗并增加了帶寬。

他補(bǔ)充道：“典型的 XPU 至少有 30% 的硅片面積專用于 SRAM，有些設(shè)計(jì)甚至超過芯片面積的 50% 到 60%。我們正在嘗試優(yōu)化這一點(diǎn)，因?yàn)檫@會對芯片的芯片尺寸和成本產(chǎn)生重大影響。”

“在業(yè)界，SRAM 正變得像一個(gè)基本的 IP‘管道’，這意味著很多地方都需要它，但卻缺乏技術(shù)創(chuàng)新。實(shí)際上，在 SRAM 架構(gòu)中可以實(shí)現(xiàn)許多新技術(shù)，以優(yōu)化功耗、帶寬和許多其他指標(biāo)。我們并不認(rèn)為 SRAM 僅僅是一個(gè)管道，而是一個(gè)創(chuàng)新的機(jī)會，”Anand 說道。

Anand 認(rèn)為，SRAM 面臨的最大挑戰(zhàn)是面積微縮。雖然邏輯單元和存儲器都經(jīng)歷了多代的微縮，但 SRAM 單元似乎開始遇到瓶頸，導(dǎo)致過去幾代先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的微縮停滯不前?！斑壿媶卧^續(xù)微縮，但存儲器位單元卻沒有，”Anand 指出。

Objective Analysis 首席分析師 Jim Handy 表示：“Marvell 的方法實(shí)現(xiàn)了節(jié)能降耗和速度提升，同時(shí)也承認(rèn)了 SRAM 芯片并非隨著工藝制程線性擴(kuò)展的事實(shí)。他們只是根據(jù)這些工藝制程尺寸對 SRAM 進(jìn)行了輕微的調(diào)整?！?/p>

Handy 表示：“SRAM 廣泛用于高性能處理器芯片的緩存。如果芯片無需訪問外部存儲器，其速度甚至可以更快。事實(shí)上，芯片上的所有核心每個(gè)周期都能執(zhí)行一條指令，速度非常快?！?/p>

雖然SRAM和DRAM都是隨機(jī)存取存儲器的形式，但是它們的結(jié)構(gòu)上有所不同。DRAM代表動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器在結(jié)構(gòu)上與SRAM有所不同，因?yàn)樗褂秒娙萜鞫皇欠聪嗥骱途w管進(jìn)行存儲。因此，這種存儲器需要刷新并因此發(fā)生變化，因此被定義為“動態(tài)”的。不像SRAM，其存儲器存儲在芯片上，DRAM存儲在與芯片外部的主板上，因此訪問時(shí)間更長。這導(dǎo)致SRAM是一種比DRAM更快的存儲器。

每種內(nèi)存在設(shè)備中存儲的位置也不同。DRAM通常用作主要的存儲器，因此通常存儲在主板上，但是由于SRAM是CPU中常用的存儲器，因此最可能在處理器上找到。

最后，這兩種內(nèi)存在成本方面也有所不同。由于SRAM需要更多的功率來運(yùn)行，因此與DRAM相比，它也是一種更昂貴的內(nèi)存選擇。這是SRAM不總是主存儲系統(tǒng)的理想選擇的另一個(gè)原因。