本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

這波內(nèi)存半導(dǎo)體超級(jí)周期預(yù)計(jì)要比以往的更加持久和強(qiáng)勁。

據(jù)報(bào)道，AI驅(qū)動(dòng)的內(nèi)存半導(dǎo)體超級(jí)周期預(yù)計(jì)會(huì)比過去的繁榮時(shí)期更加持久和強(qiáng)勁，由于對(duì)人工智能服務(wù)器的大量投資、通用服務(wù)器內(nèi)存的替換，以及對(duì)設(shè)備上人工智能需求的增加，供應(yīng)短缺的情況可能會(huì)持續(xù)3到4年。

三星電子、SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商將在今年第四季度向客戶調(diào)整報(bào)價(jià)，DRAM和NAND閃存價(jià)格上調(diào)幅度將高達(dá)30%，以滿足AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力?；ㄆ旌湍Ω康だ热蛲缎蓄A(yù)計(jì)DRAM平均售價(jià)（ASP）將上漲25-26%。

這種需求的激增是由像谷歌、微軟、亞馬遜、Meta和OpenAI這樣的科技巨頭推動(dòng)的，它們向AI數(shù)據(jù)中心投入了數(shù)萬億到數(shù)千億韓元的資金，這推動(dòng)了高性能DRAM，如HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。預(yù)計(jì)到2030年，HBM市場(chǎng)的規(guī)模將增長(zhǎng)兩倍，達(dá)到1000億美元。盈利能力也在增加，即將推出的HBM4（第六代）價(jià)格比HBM3E高出60%。由于HBM的生產(chǎn)復(fù)雜性，供應(yīng)限制預(yù)計(jì)明年將惡化。

此外，隨著AI趨勢(shì)轉(zhuǎn)向推理應(yīng)用，通用型DRAM的需求也在增長(zhǎng)，因?yàn)樗啾菻BM提供了更低的功耗和更快速的數(shù)據(jù)處理速度。像英偉達(dá)這樣的公司正在專注于高級(jí)內(nèi)存技術(shù)，如GDDR7和LPDDR5X，以用于人工智能加速器。DRAM和NAND閃存的價(jià)格上漲預(yù)計(jì)將持續(xù)到2026年，花旗預(yù)計(jì)DRAM ASP將同比上漲37%，NAND閃存將同比上漲39%。

報(bào)道稱，由于擔(dān)心DRAM短缺，幾家領(lǐng)先的國(guó)際電子和服務(wù)器公司正在囤積內(nèi)存，并與三星和SK海力士洽談簽訂2至3年長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，與以往按季度或年度簽訂合同的傳統(tǒng)形成鮮明對(duì)照。

現(xiàn)貨市場(chǎng)加價(jià)趨勢(shì)明顯

調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce的報(bào)告也印證了這一點(diǎn)，內(nèi)存現(xiàn)貨市場(chǎng)正經(jīng)歷一輪迅猛的漲價(jià)潮。由于買家為對(duì)沖未來漲價(jià)風(fēng)險(xiǎn)而積極備貨，DRAM 和 NAND閃存現(xiàn)貨市場(chǎng)加價(jià)趨勢(shì)明顯，各類容量的晶圓價(jià)格普遍上漲，市場(chǎng)看漲情緒濃厚。

在 DRAM 現(xiàn)貨市場(chǎng)，交易勢(shì)頭持續(xù)增強(qiáng)。盡管消費(fèi)電子產(chǎn)品的終端需求并未顯著復(fù)蘇，但市場(chǎng)普遍預(yù)期價(jià)格將持續(xù)大幅上漲。因此，買家為維持安全庫存水平而積極備貨，這種避險(xiǎn)需求顯著提升了 DDR4 和 DDR5 產(chǎn)品的成交量。

受此影響，持有庫存的模組廠也開始惜售，從而進(jìn)一步快速推高價(jià)格。主流 DDR4 芯片（1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價(jià)格已從上周的7.219美元漲至7.931美元，周環(huán)比漲幅高達(dá)9.86%。

NAND 閃存現(xiàn)貨市場(chǎng)的漲勢(shì)更為猛烈。由于供應(yīng)商持續(xù)上調(diào)報(bào)價(jià)，本周各容量晶圓的平均價(jià)格漲幅達(dá)到了 15% 至 20%。供應(yīng)端目前普遍采取惜售和控貨策略，報(bào)價(jià)大多集中在高位，市場(chǎng)上的低價(jià)貨源幾乎消失。盡管買家積極提高目標(biāo)價(jià)求購(gòu)，但由于供應(yīng)有限，實(shí)際成交量仍然不高。

具體來看，512Gb 和 1Tb TLC 晶圓的價(jià)格上漲最為明顯。其中，512Gb TLC 晶圓的現(xiàn)貨價(jià)格本周飆升 27.96%，達(dá)到 4.576 美元。當(dāng)前，市場(chǎng)普遍認(rèn)為 2025 年第四季度價(jià)格仍有上漲空間。

Q4價(jià)格預(yù)計(jì)延續(xù)漲勢(shì)

在NAND方面，TrendForce觀察到由于消費(fèi)市場(chǎng)需求提前在上半年被透支，下半年旺季未能如預(yù)期發(fā)揮效應(yīng)，市場(chǎng)原本普遍預(yù)估4Q25價(jià)格將進(jìn)入盤整。然而，HDD供給短缺與過長(zhǎng)交期，使CSP(云端服務(wù)供應(yīng)商)將儲(chǔ)存需求快速轉(zhuǎn)向QLC Enterprise SSD，短期內(nèi)急單大量涌入，造成市場(chǎng)明顯波動(dòng)。同時(shí)，SanDisk(閃迪)率先宣布調(diào)漲10%，Micron(美光)也因價(jià)格與產(chǎn)能配置考量暫停報(bào)價(jià)，使得供應(yīng)端氛圍由保守轉(zhuǎn)為積極。在此外溢效應(yīng)帶動(dòng)下，預(yù)估NAND Flash第四季各類產(chǎn)品合約價(jià)將全面上漲，平均漲幅達(dá)5-10%。

從供給面來看，NAND Flash受惠于上半年減產(chǎn)與優(yōu)先去化庫存，市場(chǎng)供需平衡明顯改善，原廠庫存與價(jià)格壓力同步緩解。除幾家大廠規(guī)劃于明年啟動(dòng)新廠投產(chǎn)外，其余廠商資本支出多集中于先進(jìn)制程升級(jí)，以優(yōu)化單位成本結(jié)構(gòu)，并將產(chǎn)能聚焦于高毛利產(chǎn)品，減少價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)以提升利潤(rùn)，形成價(jià)格支撐。產(chǎn)品面上，QLC因具成本優(yōu)勢(shì)而廣泛應(yīng)用于SSD，特別是生成式AI對(duì)海量數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需求推升，使各大原廠更加著重于QLC產(chǎn)能布局。

就需求面來看，NAND Flash下半年受消費(fèi)力道走弱、OEM采購(gòu)趨緩，渠道端亦存在大量成機(jī)庫存待去化影響。不過，由于Server OEM及CSP業(yè)者上半年積極清理庫存，加上NVIDIA(英偉達(dá))新一代Blackwell芯片于2H25進(jìn)入放量出貨階段，疊加HDD供給吃緊，帶動(dòng)Enterprise SSD需求大幅攀升。此消彼長(zhǎng)下，NAND Flash整體需求仍維持正向發(fā)展。

在DRAM方面，TrendForce最新調(diào)查顯示，由于三大DRAM原廠持續(xù)優(yōu)先分配先進(jìn)制程產(chǎn)能給高階Server DRAM和HBM，排擠PC、Mobile和Consumer應(yīng)用的產(chǎn)能，同時(shí)受各終端產(chǎn)品需求分化影響，第四季舊制程DRAM價(jià)格漲幅依舊可觀，新世代產(chǎn)品漲勢(shì)相對(duì)溫和。預(yù)估整體一般型DRAM (Conventional DRAM)價(jià)格將季增8-13%，若加計(jì)HBM，漲幅將擴(kuò)大至13-18%。

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